Infineon Technologies BTS282ZAKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TEMPFET®

已出版

2001

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PSFM-T7

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 36A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 240μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

232nC @ 10V

上升时间

37ns

漏源电压 (Vdss)

49V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

49V

雪崩能量等级（Eas）

2000 mJ

场效应管特性

温度传感二极管

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准