BTS500151TAAATMA1备选型号: IPB014N06NATMA1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
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  • 最大输出电流
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 比率-输入:输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    Power Switch Hi Side 33A Automotive 7-Pin(6 Tab) TO-263
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2016
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    7
    EAR99
    TIN
    200W
    SINGLE
    鸥翼
    1
    13.5V
    R-PSSO-G7
    1
    N-Channel
    33A
    8V
    On/Off
    1.2mA
    高边
    200W
    33A
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    1:1
    5.5V~28V
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    700 μs
    33A
    700 μs
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    9.25mm
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G6
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    214W
    -
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    -
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    -
    -
    ROHS3 Compliant
    7
    SILICON
    34A Ta 180A Tc
    no
    8541.29.00.95
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    2.8V @ 143μA
    无卤素
    7800pF @ 30V
    106nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    14 ns
    180A
    2.8V
    20V
    60V
    34A
    0.0014Ohm
    60V
    420 mJ
    无SVHC
    含铅
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