BTS500151TAAATMA1备选型号: IRFS7434TRL7PP
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- JESD-30代码
- 输出的数量
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- 最大输出电流
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 电源电流
- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 输入类型
- 开关类型
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 关断时间
- 内置保护器
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 无铅
- Power Switch Hi Side 33A Automotive 7-Pin(6 Tab) TO-26317 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1002016e3Obsolete3 (168 Hours)7EAR99TIN200WSINGLE鸥翼113.5VR-PSSO-G71N-Channel33A8VOn/Off1.2mA高边200W33A不需要Non-Inverting通用型1:15.5V~28VCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage700 μs33A700 μsTRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL9.25mm无符合RoHS标准-----------------
- MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013-活跃1 (Unlimited)-EAR99--------------245W------------无ROHS3 Compliant7240A TcSingle增强型MOSFET23 nsN-Channel1m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 250μA10250pF @ 25V315nC @ 10V125ns40V±20V85 ns240A20V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0105N407L MOSFET Transistor, N Channel, 460 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.8 VNew | 对比 | |
![]() | IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | 对比 |
![]() | IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | 对比 |




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