BTS500151TAAATMA1备选型号: IPB180N04S4H0ATMA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 比率-输入:输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    Power Switch Hi Side 33A Automotive 7-Pin(6 Tab) TO-263
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2016
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    7
    EAR99
    TIN
    200W
    SINGLE
    鸥翼
    1
    13.5V
    R-PSSO-G7
    1
    N-Channel
    33A
    8V
    On/Off
    1.2mA
    高边
    200W
    33A
    不需要
    Non-Inverting
    通用型
    1:1
    5.5V~28V
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    700 μs
    33A
    700 μs
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    9.25mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G6
    -
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    -
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    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    180A Tc
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    1.1m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 180μA
    17940pF @ 25V
    225nC @ 10V
    40V
    ±20V
    180A
    0.0011Ohm
    720A
    40V
    850 mJ
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