BTS50901EJAXUMA1备选型号: IRLHS6276TRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 输出的数量
- 输出类型
- 最大输出电流
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 电源电流
- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 开关类型
- 无卤素
- 额定输入电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 输出峰值电流限制-名
- Rds On(Typ)
- 内置保护器
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 电阻
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- Power Switch Hi Side 3A Automotive 8-Pin DSO EP T/R18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad8-40°C~150°C TJCut Tape (CT)2013e3活跃3 (168 Hours)8EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼113.5V1N-Channel3A5VOn/Off3.5mA高边1.5W3A不需要通用型无卤素28V1:15V~28VCurrent Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage3A90m ΩTRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE4.9mm3.9mm无ROHS3 Compliant无铅-----------------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装6-VQFN6-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)-----------1.5W-------------无ROHS3 Compliant无铅SILICON10 nsHEXFET®45MOhm1.5W26030IRLHS6276PBFDual增强型MOSFETDRAIN4.4 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING45m Ω @ 3.4A, 4.5V1.1V @ 10μA310pF @ 10V3.1nC @ 4.5V9.3ns20V4.9 ns4.5A12V3.4A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门800 mV无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLHS6376TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN | 对比 |
![]() | BSC150N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON | 对比 |
![]() | IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VQFN | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | 对比 |





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