BTS50901EJAXUMA1备选型号: IRLHS6376TRPBF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 开关类型
  • 无卤素
  • 额定输入电压
  • 比率-输入:输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 内置保护器
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Power Switch Hi Side 3A Automotive 8-Pin DSO EP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
    8
    -40°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    13.5V
    1
    N-Channel
    3A
    5V
    On/Off
    3.5mA
    高边
    1.5W
    3A
    不需要
    通用型
    无卤素
    28V
    1:1
    5V~28V
    Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
    3A
    90m Ω
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    1.5W
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2
    HEXFET®
    1.5W
    IRLHS6376
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    63m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    270pF @ 25V
    2.8nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    9.4 ns
    3.6A
    800mV
    12V
    3.4A
    0.082Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800 mV
    无SVHC
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