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首页 全部分类 BUK652R0-30C,127 vs FDP8870

BUK652R0-30C,127备选型号: FDP8870

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  • 额定电流
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK652R0-30C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    N-Channel
    2.2m Ω @ 25A, 10V
    2.8V @ 1mA
    14964pF @ 25V
    229nC @ 10V
    30V
    ±16V
    2013-06-14 00:00:00
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    -
    TO-220AB
    1
    -
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    3
    1.8g
    e3
    yes
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    160W
    160A
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    105ns
    N-CHANNEL
    46 ns
    156A
    2.5V
    20V
    30V
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    无铅
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