BUK652R0-30C,127备选型号: IRL3803VPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB通孔TO-220-3120A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2010Obsolete1 (Unlimited)3N-Channel2.2m Ω @ 25A, 10V2.8V @ 1mA14964pF @ 25V229nC @ 10V30V±16V2013-06-14 00:00:00Non-RoHS Compliant--------------------------------
- IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220通孔TO-220-3140A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)-N-Channel5.5m Ω @ 71A, 10V1V @ 250μA3720pF @ 25V76nC @ 4.5V-±16V-ROHS3 Compliant14 Weeks通孔3SILICON3EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY30V140ASingle增强型MOSFET200WDRAIN16 nsSWITCHING180ns37 ns140A1VTO-220AB16V75A0.0055Ohm30V470A400 mJ16.51mm10.6426mm4.82mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL7833PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | 对比 |
| FDP8870 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220AB | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | 对比 | |
![]() | IRL3803VPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220 | 对比 |



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