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首页 全部分类 BUK652R0-30C,127 vs IRL7833PBF

BUK652R0-30C,127备选型号: IRL7833PBF

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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK652R0-30C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    N-Channel
    2.2m Ω @ 25A, 10V
    2.8V @ 1mA
    14964pF @ 25V
    229nC @ 10V
    30V
    ±16V
    2013-06-14 00:00:00
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7833PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
    通孔
    TO-220-3
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    3.8m Ω @ 38A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4170pF @ 15V
    47nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    3
    SILICON
    3
    EAR99
    3.8MOhm
    30V
    150A
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    50ns
    6.9 ns
    150A
    2.3V
    TO-220AB
    20V
    75A
    30V
    600A
    560 mJ
    63 ns
    2.3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    无铅
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