BUK751R6-30E,127备选型号: FDMC7696
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB通孔TO-220-3NOSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2012e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)雪崩 额定SINGLEnot_compliant3AEC-Q101; IEC-60134R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 25A, 10V4V @ 1mA11960pF @ 25V154nC @ 10V30V±20VTO-220AB120A0.0016Ohm1408A30V1405 mJROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET表面贴装8-PowerWDFN-SILICON12A Ta 20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e4活跃1 (Unlimited)5Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-DUAL---S-PDSO-N5-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING11.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1430pF @ 15V22nC @ 10V-±20V---50A--ROHS3 Compliant23 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装8180mgyesEAR99Single25W9 ns2ns2 ns20A2V20V30V2 V750μm3.3mm3.3mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMC7696 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 | |
![]() | IPP065N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | IRLB8314PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 | 对比 |




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