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首页 全部分类 BUK752R3-40C,127 vs FDP8440

BUK752R3-40C,127备选型号: FDP8440

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK752R3-40C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3Pin(3 Tab)
    通孔
    TO-220-3
    3
    100A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.3m Ω @ 25A, 10V
    11323pF @ 25V
    175nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8440
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel Power Trench
    -
    TO-220AB
    3
    1
    -
    -
    Tube
    -
    2017
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    40V
    -
    ROHS3 Compliant
    9 Weeks
    通孔
    1.8g
    yes
    3
    EAR99
    2.2MOhm
    175°C
    -55°C
    306W
    Single
    增强型MOSFET
    306W
    43 ns
    SWITCHING
    130ns
    N-CHANNEL
    290 ns
    277A
    20V
    40V
    500A
    24.74nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.2mOhm
    2.2 mΩ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    无铅
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