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首页 全部分类 BUK752R3-40C,127 vs IRFB7434PBF

BUK752R3-40C,127备选型号: IRFB7434PBF

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK752R3-40C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3Pin(3 Tab)
    通孔
    TO-220-3
    3
    100A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.3m Ω @ 25A, 10V
    11323pF @ 25V
    175nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7434PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    通孔
    TO-220-3
    3
    195A Tc
    3.9V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.6m Ω @ 100A, 10V
    10820pF @ 25V
    324nC @ 10V
    -
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    通孔
    SILICON
    3
    EAR99
    1.6MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    294W
    DRAIN
    24 ns
    SWITCHING
    68ns
    195A
    3V
    TO-220AB
    20V
    40V
    490 mJ
    38 ns
    3 V
    16.51mm
    4.83mm
    10.67mm
    无
    无SVHC
    无铅
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