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首页 全部分类 BUK752R3-40C,127 vs IRF1404PBF

BUK752R3-40C,127备选型号: IRF1404PBF

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  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK752R3-40C,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3Pin(3 Tab)
    通孔
    TO-220-3
    3
    100A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    2.3m Ω @ 25A, 10V
    11323pF @ 25V
    175nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF1404PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
    通孔
    TO-220-3
    3
    202A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    4m Ω @ 121A, 10V
    5669pF @ 25V
    196nC @ 10V
    -
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    4mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    162A
    2.54mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    333W
    DRAIN
    17 ns
    SWITCHING
    190ns
    33 ns
    202A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75A
    40V
    808A
    40V
    620 mJ
    117 ns
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    无铅
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