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首页 全部分类 BUK78150-55A/CUF vs BSP315PL6327HTSA1

BUK78150-55A/CUF备选型号: BSP315PL6327HTSA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BUK78150-55A/CUF
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    5.5A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 5A, 10V
    230pF @ 25V
    26ns
    55V
    ±20V
    10 ns
    5.5A
    20V
    0.15Ohm
    22A
    55V
    25 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP315PL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    1.17A Ta
    2V @ 160μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    24 ns
    P-Channel
    -
    800mOhm @ 1.17A, 10V
    160pF @ 25V
    9ns
    60V
    ±20V
    19 ns
    1.17A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    PG-SOT223-4
    150°C
    -55°C
    1.8W
    7.8nC @ 10V
    160pF
    800 mΩ
    无
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