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BUK78150-55A/CUF备选型号: DMP6185SE-13
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- JESD-30代码
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT22316 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON5.5A Tc4V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2010活跃1 (Unlimited)4DUAL鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 10V230pF @ 25V26ns55V±20V10 ns5.5A20V0.15Ohm22A55V25 mJROHS3 Compliant--------
MOSFET PCH 60V 3A SOT22322 Weeks-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA-SILICON3A Ta3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012014活跃1 (Unlimited)4DUAL鸥翼26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-P-ChannelSWITCHING150m Ω @ 2.2A, 10V708pF @ 30V-60V±20V-3A-0.15Ohm-60V-ROHS3 Compliante3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYR-PDSO-G414nC @ 10V3Anot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMT29EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 30V 6A SC-73 | 对比 |
| DMP6185SE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | 对比 |
 | BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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