Nexperia USA Inc. BUK78150-55A/CUF
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BUK78150-55A/CUF
1729-BUK78150-55A/CUF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
1最小包装量--
BUK78150-55A/CUF详情
Nexperia USA Inc. BUK78150-55A/CUF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
8W Tc
Turn Off Delay Time
8 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
230pF @ 25V
上升时间
26ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.15Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22A
DS 击穿电压-最小值
55V
雪崩能量等级(Eas)
25 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK78150-55A/CUF拓展信息
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