BUK7K17-60EX备选型号: FDMS5361L-F085
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- BUK7K17-60E - Dual N-channel 60 V, 14 m? standard level MOSFET12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK568SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)雪崩 额定53WSINGLE鸥翼not_compliant8AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G42增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING14m Ω @ 10A, 10V4V @ 1mA1578pF @ 25V23.6nC @ 10V60V30A0.014Ohm60V164A55 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 60V 35A POWER56-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)-Tin (Sn)----not_compliant---1--N-Channel-15m Ω @ 16.5A, 10V3V @ 250μA1980pF @ 25V44nC @ 10V-35A-60V----ROHS3 CompliantLIFETIME (Last Updated: 1 hour ago)172.8mgAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®yes260未说明Single16 ns10ns±20V8 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMT6009LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 11A | 对比 |
| FDMS5361L-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 | 对比 | |
![]() | STD35NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 对比 |





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