Nexperia USA Inc. BUK7K17-60EX
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BUK7K17-60EX
1729-BUK7K17-60EX
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
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BUK7K17-60E - Dual N-channel 60 V, 14 m? standard level MOSFET
--最小包装量--
BUK7K17-60EX详情
Nexperia USA Inc. BUK7K17-60EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
最大功率耗散
53W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1578pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
30A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
164A
雪崩能量等级(Eas)
55 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7K17-60EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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