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BUK98150-55,135备选型号: HUFA75309T3ST
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
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- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET TAPE13 PWR-MOS表面贴装TO-261-4, TO-261AAYESSILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1998e3yesObsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED8541.29.00.75DUAL鸥翼26040R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 5V2V @ 1mA330pF @ 25V55V±10V2.6A0.15Ohm30A55V15 mJROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223表面贴装TO-261-4, TO-261AA--3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2002--Obsolete1 (Unlimited)--------------N-Channel-70mOhm @ 3A, 10V4V @ 250μA352pF @ 25V55V±20V-----符合RoHS标准表面贴装4SOT-223-4150°C-55°C55V3ASingle1.1W23nC @ 20V20ns20 ns3A20V55V352pF70mOhm70 mΩ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP6185SE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | 对比 |
| HUFA75309T3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | 对比 |
 | BSP320SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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