BUK9840-55/CUX备选型号: BUK98150-55,135

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Nexperia USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 55V 10.7A Automotive 4-Pin(3 Tab) SC-73 T/R
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    5A Ta 10.7A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 5A, 5V
    1400pF @ 25V
    65ns
    55V
    ±10V
    70 ns
    10.7A
    10V
    5A
    55V
    60 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET TAPE13 PWR-MOS
    -
    -
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    SILICON
    1
    2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1998
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 5A, 5V
    330pF @ 25V
    -
    55V
    ±10V
    -
    -
    -
    2.6A
    55V
    15 mJ
    ROHS3 Compliant
    YES
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    260
    40
    R-PDSO-G4
    不合格
    0.15Ohm
    30A
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