BUK9880-55,135备选型号: BSP171PL6327HTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223Tin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA73SILICON7.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼260404R-PDSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.8WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING80m Ω @ 5A, 5V2V @ 1mA650pF @ 25V30ns±10V30 ns7.5A10V3.5A0.08Ohm55V40A30 mJ无符合RoHS标准无铅-------
- Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON1.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL鸥翼--4-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.8WDRAIN6 nsP-ChannelSWITCHING300m Ω @ 1.9A, 10V2V @ 460μA460pF @ 25V25ns±20V87 ns1.9A20V-0.3Ohm---无符合RoHS标准-2005yesMatte Tin (Sn)20nC @ 10V60V60V55 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK98150-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 对比 | |
![]() | BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| BUK7880-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SC-73 T/R | 对比 |




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