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首页 全部分类 BUK9K12-60EX vs BSZ100N06NSATMA1

BUK9K12-60EX备选型号: BSZ100N06NSATMA1

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9K12-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    68W
    鸥翼
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    68W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    10.7m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    3470pF @ 25V
    24.5nC @ 5V
    60V
    35A
    0.0115Ohm
    204A
    60V
    118 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ100N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    10mOhm @ 20A, 10V
    3.3V @ 14μA
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    60V
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    PG-TSDSON-8-FL
    OptiMOS™
    150°C
    -55°C
    无卤素
    2ns
    ±20V
    20V
    60V
    1.075nF
    8.5mOhm
    10 mΩ
    含铅
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