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首页 全部分类 BUK9M35-80EX vs FDMS86381-F085

BUK9M35-80EX备选型号: FDMS86381-F085

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 操作温度
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M35-80EX
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - BUK9M35-80EX - MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    8
    SILICON
    1
    2.1V @ 1mA
    2016
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 5A, 10V
    1804pF @ 25V
    13.5nC @ 5V
    80V
    ±10V
    26A
    0.035Ohm
    106A
    80V
    32.3 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86381-F085
    ON Semiconductor
    POWER TRENCH MOSFET
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    50W Tj
    4V @ 250μA
    -
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    22m Ω @ 30A, 10V
    866pF @ 40V
    21nC @ 10V
    80V
    ±20V
    30A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    172.8mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    not_compliant
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