我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
BUK9M35-80EX备选型号: NTD5413NT4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
NEXPERIA - BUK9M35-80EX - MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON12.1V @ 1mA2016Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING31m Ω @ 5A, 10V1804pF @ 25V13.5nC @ 5V80V±10V26A0.035Ohm106A80V32.3 mJROHS3 Compliant---------------
MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON30A Ta4V @ 250μA2008-Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)2-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 20A, 10V1725pF @ 25V46nC @ 10V-±20V30A----符合RoHS标准e3yesEAR9926MOhmTin (Sn)26040不合格Single68W20ns8 ns20V60V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS86381-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | POWER TRENCH MOSFET | 对比 |
 | STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT | 对比 |
| NTD5413NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel | 对比 |
哦! 它是空的。