BUK9M35-80EX备选型号: STL8DN6LF6AG
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容
- NEXPERIA - BUK9M35-80EX - MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 80 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.7 V26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK338SILICON12.1V @ 1mA2016Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING31m Ω @ 5A, 10V1804pF @ 25V13.5nC @ 5V80V±10V26A0.035Ohm106A80V32.3 mJROHS3 Compliant--------
- MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-32A Tc--Automotive, AEC-Q101, STripFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)--------2 N-Channel (Dual)-27m Ω @ 9.6A, 10V--60V-32A----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR9955W未说明未说明STL82.5V @ 250μA1.34nF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86381-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | POWER TRENCH MOSFET | 对比 | |
![]() | STL8DN6LF6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT | 对比 |
| NTD5413NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel | 对比 |




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