BUL416T备选型号: FJP2160DTU
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- JEDEC-95代码
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS NPN 800V 6A TO-220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON800V150°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99110WSINGLEBUL4163SINGLE110WSWITCHINGNPNNPN800V6A18 @ 700mA 5V250μATO-220AB1.5V @ 1.33A, 4A9V无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Bipolar Transistors - BJT NPN/1600V/3ALAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks-通孔通孔TO-220-33SILICON800V-55°C~125°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99100WSINGLE--SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE100WSWITCHINGNPNNPN800V2A20 @ 400mA 3V100μA-750mV @ 330mA, 1A12V无ROHS3 Compliant无铅1.8gESBC™2012yesTin (Sn)8541.29.00.9520V25MHz5MHz1.6kV15.95mm9.9mm4.5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FJPF2145TU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-220-3 Full Pack | TRANS NPN 800V 5A TO-220F | 对比 | |
| FJP2160DTU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-220-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN/1600V/3A | 对比 |



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