STMicroelectronics BUL416T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Number of Elements

1

hFEMin

18

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

110W

端子位置

SINGLE

基本部件号

BUL416

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率 - 最大

110W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

18 @ 700mA 5V

最大集极截止电流

250μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.33A, 4A

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅