ON Semiconductor FJP2160DTU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~125°C TJ

包装

Tube

系列

ESBC™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

100W

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE

功率 - 最大

100W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 400mA 3V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 330mA, 1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

转换频率

25MHz

频率转换

5MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.6kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

15.95mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅