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首页 全部分类 BULB49DT4 vs FJB102TM

BULB49DT4备选型号: FJB102TM

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  • 元素配置
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 最大集极截止电流
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    BULB49DT4
    STMicroelectronics
    Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    450V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    80W
    鸥翼
    245
    30
    BULB49
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    80W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    450V
    5A
    4 @ 7A 10V
    100μA
    1.2V @ 800mA, 4A
    850V
    10V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJB102TM
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    100V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    80W
    鸥翼
    -
    -
    FJB102
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    80W
    -
    -
    NPN - Darlington
    100V
    8A
    1000 @ 3A 4V
    50μA
    2.5V @ 80mA, 8A
    100V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    1.31247g
    2V
    2014
    yes
    Tin (Sn)
    100V
    8A
    NPN
    100V
    无SVHC
    无铅
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