ON Semiconductor FJB102TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

80W

终端形式

鸥翼

额定电流

8A

基本部件号

FJB102

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 80mA, 8A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅