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首页 全部分类 CP336V-2N5551-CT vs FMBM5551

CP336V-2N5551-CT备选型号: FMBM5551

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  • 频率
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Central Semiconductor Corp
    CP336V-2N5551-CT
    Central Semiconductor Corp
    TRANS NPN 160V 600MA CHIP 1=400
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    160V
    -65°C~150°C TJ
    Tray
    活跃
    1 (Unlimited)
    NPN
    200mV
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    160V
    300MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FMBM5551
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    160V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    2 NPN (Dual)
    160V
    600mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    150mV
    2008
    e3
    yes
    6
    EAR99
    160V
    700mW
    鸥翼
    未说明
    600mA
    300MHz
    未说明
    FMBM5551
    不合格
    NPN
    Dual
    700mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    100MHz
    160V
    180V
    6V
    1.12mm
    3mm
    1.68mm
    无铅
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