CP336V-2N5551-CT备选型号: MMBT5551-7-F
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- TRANS NPN 160V 600MA CHIP 1=4008 Weeks表面贴装表面贴装DieDie160V-65°C~150°C TJTray活跃1 (Unlimited)NPN200mV600mA80 @ 10mA 5V50nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA160V300MHzROHS3 Compliant--------------------------------------
- Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R13 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-30-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)NPN160V600mA80 @ 10mA 5V500nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA--ROHS3 Compliant37.994566mgSILICON200mV2008Automotive, AEC-Q101e3yes3EAR99Matte Tin (Sn)160V300mWDUAL鸥翼260200mA300MHz40MMBT55513Single300mWSWITCHING300MHzNPN100MHz160V180V6V150°C200mA1.4mm3.05mm1.1mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMBM5551 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier | 对比 | |
![]() | DXT5551-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3 | 对比 |
![]() | DZT5551-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |





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