您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CPH3350-TL-W vs IRLML6402GTRPBF

CPH3350-TL-W备选型号: IRLML6402GTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • 电阻
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3350-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1W
    8.1 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    83m Ω @ 1.5A, 4.5V
    375pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    26ns
    20V
    ±10V
    37 ns
    3A
    10V
    3A
    -20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6402GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    1.3W
    350 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.7A, 4.5V
    633pF @ 10V
    12nC @ 5V
    48ns
    20V
    ±12V
    381 ns
    -3.7A
    12V
    -
    -20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    IRLML6402GTRPBF
    HEXFET®
    65MOhm
    HIGH RELIABILITY
    Single
    1.2V @ 250μA
    22A
    150°C
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 对比
DMN2046U-7 DMN2046U-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 对比
CPH3456-TL-W CPH3456-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R 对比