ON Semiconductor CPH3456-TL-W
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CPH3456-TL-W
1807-CPH3456-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R
--最小包装量--
CPH3456-TL-W详情
ON Semiconductor CPH3456-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
71m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
260pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.8nC @ 4.5V
上升时间
19ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
28 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.071Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH3456-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
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