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CPH3356-TL-H备选型号: CPH3350-TL-W
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- 品牌:
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- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUAL鸥翼not_compliant3Single增强型MOSFET1W5.7 nsP-ChannelSWITCHING137m Ω @ 1A, 4.5V无卤素250pF @ 10V3.3nC @ 4.5V11ns20V±10V20 ns2.5A10V-20V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 5 days ago)表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON3A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUAL鸥翼not_compliant3-增强型MOSFET1W8.1 nsP-ChannelSWITCHING83m Ω @ 1.5A, 4.5V-375pF @ 10V4.6nC @ 4.5V26ns20V±10V37 ns3A10V-20V---ROHS3 Compliant无铅4 Weeks表面贴装1.437803g未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE13A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 对比 |
| CPH3350-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES | 对比 |
 | DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | 对比 |
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