ON Semiconductor CPH3356-TL-H

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

137m Ω @ 1A, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.3nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

-20V

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅