CPH3356-TL-H备选型号: IRLML2246TRPBF
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- 生命周期状态
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- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 系列
- 电阻
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 阈值电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUAL鸥翼not_compliant3Single增强型MOSFET1W5.7 nsP-ChannelSWITCHING137m Ω @ 1A, 4.5V无卤素250pF @ 10V3.3nC @ 4.5V11ns20V±10V20 ns2.5A10V-20V900μm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼--Single增强型MOSFET1.3W5.3 nsP-ChannelSWITCHING135m Ω @ 2.6A, 4.5V-220pF @ 16V2.9nC @ 4.5V7.7ns20V±12V16 ns2.6A12V-20V1.02mm3.04mm1.4mmROHS3 Compliant无铅12 Weeks表面贴装HEXFET®236MOhm1.1V @ 10μA-1.1V26 ns-1.1 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 对比 |
| CPH3350-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES | 对比 | |
![]() | DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | 对比 |




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