CPH6347-TL-W备选型号: FDC637BNZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    防静电
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    P-Channel
    39m Ω @ 3A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    860pF @ 10V
    10.5nC @ 4.5V
    48ns
    20V
    ±12V
    78 ns
    6A
    12V
    6A
    0.039Ohm
    24A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    8 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    895pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    6ns
    -
    ±12V
    6 ns
    6.2A
    12V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6
    36mg
    PowerTrench®
    EAR99
    24MOhm
    Tin (Sn)
    1
    Single
    800mW
    SWITCHING
    800mV
    20V
    150°C
    800 mV
    1.1mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDC602P FDC602P ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 对比
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP 对比
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R 对比