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首页 全部分类 CPH6635-TL-H vs BSL214NL6327HTSA1

CPH6635-TL-H备选型号: BSL214NL6327HTSA1

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 配置
  • 操作模式
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH6635-TL-H
    ON Semiconductor
    Small Signal MOSFET 30V 0.4A 3.7 Ohm Complementary CPH6
    LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    YES
    6
    400mA 1.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    800mW
    6
    Dual
    5.3 ns
    N and P-Channel
    3.7 Ω @ 80mA, 4V
    无卤素
    7pF @ 10V
    1.58nC @ 10V
    65ns
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    120 ns
    1.5A
    10V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSL214NL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R
    -
    -
    -
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    6
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500mW
    6
    -
    4.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    -
    143pF @ 10V
    0.8nC @ 5V
    7.6ns
    20V
    -
    1.4 ns
    1.5A
    12V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    SILICON
    OptiMOS™
    6
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE
    8541.21.00.95
    鸥翼
    BSL214
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.2V @ 3.7μA
    0.14Ohm
    20V
    9 pF
    无
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