CPH6635-TL-H备选型号: FDC6312P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Small Signal MOSFET 30V 0.4A 3.7 Ohm Complementary CPH6LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)4 WeeksTin表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6YES6400mA 1.5A150°C TJTape & Reel (TR)2013e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99800mW6Dual5.3 nsN and P-Channel3.7 Ω @ 80mA, 4V无卤素7pF @ 10V1.58nC @ 10V65ns30V 20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL120 ns1.5A10V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准无铅----------------------------
- Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks-表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-62-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99960mW-Dual8 ns2 P-Channel (Dual)115m Ω @ 2.3A, 4.5V-467pF @ 10V7nC @ 4.5V13ns20V-13 ns2.3A8V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅表面贴装36mgSILICONPowerTrench®6SMD/SMT115MOhmTin (Sn)-20V鸥翼未说明-2.3A未说明不合格2增强型MOSFET960mW700mWSWITCHING1.5V @ 250μA-900mV-20V150°C-900 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC634P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 | 对比 | |
| FDC6312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |


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