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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.073417
10
¥4.786247
100
¥4.515323
500
¥4.259738
1000
¥4.01862
ON Semiconductor CPH6635-TL-H
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- 对比
CPH6635-TL-H
1807-CPH6635-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Small Signal MOSFET 30V 0.4A 3.7 Ohm Complementary CPH6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH6635-TL-H详情
ON Semiconductor CPH6635-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400mA 1.5A
Turn Off Delay Time
155 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
800mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
接通延迟时间
5.3 ns
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7 Ω @ 80mA, 4V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.58nC @ 10V
上升时间
65ns
漏源电压 (Vdss)
30V 20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
120 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
CPH6635-TL-H拓展信息







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