CPH6636R-TL-W备选型号: IRLMS2002TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)7 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-622 μs150°C TJTape & Reel (TR)e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)900mWnot_compliant65 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain20m Ω @ 3A, 4.5V3nC @ 4.5V300ns24V98 μs6A12V24VLogic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 Compliant无铅----------------------------
- MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP-12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3-活跃1 (Unlimited)EAR99---8.5 nsN-Channel30m Ω @ 6.5A, 4.5V22nC @ 5V11ns-16 ns6.5A12V20V-ROHS3 Compliant无铅Tin3SILICONHEXFET®20056300mOhmULTRA-LOW RESISTANCE20VDUAL鸥翼6.5AR-PDSO-G6Single增强型MOSFET2WSWITCHING1.2V @ 250μA1310pF @ 15V±12V1.2V20A1.2 V1.143mm2.9972mm1.75mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP | 对比 |
![]() | IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 对比 |



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