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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.346446
10
¥4.100418
100
¥3.868321
500
¥3.649359
1000
¥3.44279
Diodes Incorporated DMN2026UVT-7
- 收藏
- 对比
DMN2026UVT-7
671-DMN2026UVT-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2026UVT-7详情
Diodes Incorporated DMN2026UVT-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1.15W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 6.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
887pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.4nC @ 8V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
连续放电电流(ID)
6.2A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2026UVT-7拓展信息
Diodes Incorporated
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