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CSD15380F3备选型号: DMP2004K-7
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 引脚数量
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTARACTIVE (Last Updated: 6 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3SILICON500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM260未说明CSD15380Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1190m Ω @ 100mA, 8V1.35V @ 2.5μA10.5pF @ 10V0.281nC @ 10V20V10V500mA0.5A4Ohm20V0.17 pF690μm600μm345μmROHS3 Compliant无铅--------------------
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-yes活跃1 (Unlimited)3EAR99DUAL26040-Single增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V-20V±8V-600mA0.6A--20 pF2.9mm1.3mm-ROHS3 Compliant无铅Tin7.994566mg2010e3900mOhmESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD鸥翼31550mW8.5 ns4.3ns19.2 ns-1V8V-20V150°C1.1mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2004K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23 | 对比 |
 | DMN2990UFA-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 0.51A | 对比 |
 | DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |
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