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CSD15380F3备选型号: NTZD3158PT1G
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
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- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTARACTIVE (Last Updated: 6 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3SILICON500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM260未说明CSD15380Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING1190m Ω @ 100mA, 8V1.35V @ 2.5μA10.5pF @ 10V0.281nC @ 10V20V10V500mA0.5A4Ohm20V0.17 pF690μm600μm345μmROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563-2 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666--150°C-Tape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)-EAR99-----增强型MOSFET2 P-Channel (Dual)-900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V2.5nC @ 4.5V20V-430mA0.43A------ROHS3 Compliant-2016e3Tin (Sn)250mW250mWMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2004K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23 | 对比 |
 | DMN2990UFA-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 0.51A | 对比 |
 | DMP2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 | 对比 |
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