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CSD16322Q5C备选型号: IRF6712STRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 电阻
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 25V 97A 8SONTin8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON21A Ta 97A Tc1.4V @ 250μANexFET™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3NRND (Last Updated: 4 weeks ago)1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260未说明CSD16322不合格Single增强型MOSFET3.1WDRAIN6.1 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 20A, 8V1365pF @ 12.5V9.7nC @ 4.5V10.7ns25V+10V, -8V3.7 ns97A1.1V10V0.007Ohm25V1.1 V1.05mm5mm6mm1mmROHS3 Compliantnot_compliant含铅--------
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-DirectFET™ Isometric SQ表面贴装表面贴装6SILICON17A Ta 68A Tc2.4V @ 50μAHEXFET®Tape & Reel (TR)-40°C~150°C TJe1活跃1 (Unlimited)2EAR99-BOTTOM------增强型MOSFET36WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING4.9m Ω @ 17A, 10V1570pF @ 13V18nC @ 4.5V40ns-±20V12 ns17A-20V---506μm4.826mm3.95mm-ROHS3 Compliant-无铅12 Weeks20094.9MOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)R-XBCC-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE25V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR6225PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | 对比 |
| IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | 对比 |
 | NTD4855NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK | 对比 |
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