Texas Instruments CSD16322Q5C

触点镀层

Tin

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta 97A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 8V

Turn Off Delay Time

12.3 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

NRND (Last Updated: 4 weeks ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD16322

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 20A, 8V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1365pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 4.5V

上升时间

10.7ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+10V, -8V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

97A

阈值电压

1.1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

DS 击穿电压-最小值

25V

栅源电压

1.1 V

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

含铅