CSD16325Q5C备选型号: IRF6892STRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 电阻
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/RNRND (Last Updated: 4 weeks ago)Tin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON33A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD163258Single增强型MOSFET3.1WDRAIN10.5 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 30A, 8V1.4V @ 250μA4000pF @ 12.5V25nC @ 4.5V16ns25V+10V, -8V12 ns100A1.1V10V33A0.0029Ohm200A25V500 mJ1.1 V1.05mm5mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-----
- MOSFET N CH 25V 28A S3--表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric S3C8-28A Ta 125A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99--未说明-------N-Channel-1.7m Ω @ 28A, 10V2.1V @ 50μA2510pF @ 13V25nC @ 4.5V-25V±16V-125A--------------ROHS3 Compliant无铅13 Weeks20071.3mOhm未说明Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN1R7-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R | 对比 |
![]() | IRF6892STRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric S3C | MOSFET N CH 25V 28A S3 | 对比 |
![]() | IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | 对比 |






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