Texas Instruments CSD16325Q5C

生命周期状态

NRND (Last Updated: 4 weeks ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD16325

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 30A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4000pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+10V, -8V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

1.1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

栅源电压

1.1 V

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅