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首页 全部分类 CSD16570Q5B vs IRLR8256TRPBF

CSD16570Q5B备选型号: IRLR8256TRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD16570Q5B
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD16570
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    0.59m Ω @ 50A, 10V
    1.9V @ 250μA
    14000pF @ 12V
    250nC @ 10V
    43ns
    25V
    ±20V
    72 ns
    100A
    20V
    59A
    400A
    25V
    1290 pF
    5mm
    6mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8256TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    81A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    SINGLE
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.7 ns
    N-Channel
    5.7m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1470pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    46ns
    -
    ±20V
    8.5 ns
    81A
    20V
    -
    -
    -
    -
    6.7056mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2007
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    63W
    SWITCHING
    TO-252AA
    0.0057Ohm
    25V
    86 mJ
    2.3876mm
    无
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